| Eredua | BAT-NEBMS-SE601000400-V001 |
| Parametroa | Barrutia |
| Tentsioaoirteera Peranalogcell | 100mv~5000mV |
| Karga-korronte maximoa zelula analogiko bakoitzeko | 3A |
| Korrontearen neurketaren zehaztasuna baina zelula analogikoa | ±0,5 mA |
| Tenperatura tentsio analogikoa irteera tartea | -3,0V~+4,5V |
| Tenperatura tentsio analogikoa irteerazehaztasuna | ±0,5 mV |
| Tentsio handiko irteera-eremu konstantea | 10~1000V |
| Tentsio handiko irteerako zehaztasuna etengabea | ±(%0,1 RD+100mV) |
| Tentsio handiko neurketa etengabeko zehaztasuna | ±(%0,1 RD) |
| Tentsio altu konstanteak korronte maximoa onartzen du | 0~100mA |
| Tentsio handiko potentzia korronte konstantea neurtzeko zehaztasuna | %0,05 RD+50uA |
| Tentsio handiko potentzia-zenbaki konstantea | 1 CH (modulu anitz sar ditzake) |
| Erresistentzia sorta erregulagarria | 2Ω~1MΩ |
| Erresistentziaren zehaztasuna erregulagarria | 0,2% RD+1,0Ohm |
| PWM maiztasun tartea | 1Hz~500KHz |
| Maila handiko tentsio-tarte onargarria | -12V~12V |
KONTAKTU ORAIN
